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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)办公(gōng)室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安切开的南瓜可以放冰箱吗，南瓜切了一半放冰箱能留几天全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础切开的南瓜可以放冰箱吗，南瓜切了一半放冰切开的南瓜可以放冰箱吗，南瓜切了一半放冰箱能留几天箱能留几天设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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